કાર્બન, સિલિકોન અને જર્મેનિયમ પાસે ચાર વોલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન છે. વેલેન્સ અને કન્ડકશન બેન્ડ વચ્ચેનું અંતર $(E_g)_C$, $(E_g)_{Si}$ અને $(E_g)_{Ge}$ છે. તો નીચેનામાથી સાચો સંબંધ
A$(E_g)_C > (E_g)_{Si}$
B$(E_g)_C < (E_g)_{Si}$
C$(E_g)_C = (E_g)_{Si}$
D$(E_g)_C < (E_g)_{Ge}$
Easy
Download our app for free and get started
a Due to strong electronegativity of carbon
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
$P$ પ્રકારના અર્ધવાહકમાં એક્સેપ્ટરનું પ્રમાણ $57\;me V$ થી ઉપર વેલેન્સ બેન્ડ છે. તો મહત્તમ પ્રકારની તરંગ લંબાઈ કેટલી હશે કે જેથી હોલનું નિર્માણ થઈ શકે?
અર્ધવાહકમાં ઇલેકટ્રોન અને હોલ કુલ પ્રવાહના $ \frac{3}{4} $ અને $ \frac{1}{4} $ ભાગ વહન કરે છે.ઇલેકટ્રોનનો ડ્રિફટ વેગ હોલ કરતા $ \frac{5}{2} $ ગણો હોય તો સંખ્યા ઘનતાનો ગુણોતર કેટલો થાય?