किसी नैज अर्धचालक में ऊर्जा अंतराल $E_g$ का मान $1.2\  eV$ है। इसकी होल गतिशीलता इलेक्ट्रॉन गतिशीलता की तुलना में काफी कम है तथा ताप पर निर्भर नहीं है। इसकी $600\ K$ तथा $300\ K$ पर चालकताओं का क्या अनुपात है$?$ यह मानिए कि नैज वाहक सांद्रता $n_t$ की ताप निर्भरता इस प्रकार व्यक्त होती है$-$
$n_{t }= n_0 \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$
जहाँ $n_0$ एक रिथरांक है।
Exercise - 14.9
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    $I = I_{0} \exp \left(\frac{e V}{2 k_{B} T}-1\right)$
    जहाँ $I_0$ को उत्क्रमित संतृप्त धारा कहते हैं, $V$ डायोड के सिरों पर वोल्टता है तथा यह अग्रदिशिक बायस के लिए धनात्मक तथा पश्चदिशिक बायस के लिए ऋणात्मक है। I डायोड से प्रवाहित धारा है,$ k_B$ बोल्ट्जिमान नियतांक $(8.6\times 10^{-5} eV/K)$ है तथा $T$ परम ताप है। यदि किसी दिए गए डायोड के लिए $I_0 = 5 \times 10^{-12} A $ तथा $T = 300\ K$ है, तब
    1. $0.6\ V$ अग्रदिशिक वोल्टता के लिए अग्रदिशिक धारा क्या होगी?
    2. यदि डायोड के सिरों पर वोल्टता को बढ़ाकर $0.7\ V$ कर दें तो धारा में कितनी वृद्धि हो जाएगी?
    3. गतिक प्रतिरोध कितना है?
    4. यदि पश्चदिशिक वोल्टता को $1\ V$ से $2\ V$ कर दें तो धारा का मान क्या होगा?
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    किसी सिलिकॉन डायोड का $V-I$ अभिलाक्षणिक चित्र में दर्शाया गया है। डायोड का प्रतिरोध
    1. $ID = 15 \ mA$ तथा
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      Image
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    अर्ध-तरंगी दिष्टकरण में, यदि निवेश आवृत्ति 50 Hz है तो निर्गम आवृत्ति क्या है? समान निवेश आवृत्ति हेतु पूर्ण तरंग दष्टिकारी की निर्गम आवृत्ति क्या है?
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    कोई p-n फोटोडायोड 2.8 eV बैंड अंतराल वाले अर्धचालक से संविरचित है। क्या यह 6000 nm की तरंगदैर्घ्य का संसूंचन कर सकता है?
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    क्या $\mathrm{p}-\mathrm{n}$ संधि बनाने के लिए हम p-प्रकार के अर्धचालक की एक पट्टी को $\mathrm{n}$-प्रकार के अर्धचालक से भौतिक रूप से संयोजित कर $\mathrm{p}-\mathrm{n}$संधि प्राप्त कर सकते हैं?
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    सिलिकॉन परमाणुओं की संख्या $5 \times 10^{28}$ प्रति मी$^{3}$ है। यह साथ ही साथ आर्सेनिक के $5 \times 10^{22}$ परमाणु प्रति मी$.^3$ और इडियम के $5 \times 10^{20}$ परमाणु प्रति मी$^{3}$ में अपमिश्रित किया गया है। इलेक्ट्रॉन और होल की संख्या का परिकलन कीजिए। दिया है कि $n_{1 }= 1.5 \times 10^{16}m^{-3} $। दिया गया पदार्थ $n$ प्रकार का है या $p-$प्रकार का$?$
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