(a) શુદ્ધ નાઇટ્રોજન | (i) ક્લોરિન |
(b) હેબર પદ્ધતિ | (ii) સક્યુરિક એસિડ |
(c) સંપર્ક પદ્ધતિ | (iii) એમોનિયા |
(d)
ડેકોન (Deacon's) પદ્ધતિ |
(iv) સોડિયમ એઝાઇડ અથવા બેરીયમ એઝાઇડ |
નીચે આપેલામાંથી કયો એક સાચો વિકલ્પ છે ?
$(a)\quad (b)\quad (c) \quad (d)$
${\left(2 \mathrm{NaN}_{3} \stackrel{4}{\longrightarrow} 2 \mathrm{Na}+3 \mathrm{N}_{2}\right)}$
${\left(\mathrm{Ba}\left(\mathrm{N}_{3}\right)_{2} \stackrel{\Delta}{\longrightarrow} \mathrm{Ba}+3 \mathrm{N}_{2}\right)}$
Haber process $\Rightarrow$ Formation of Ammonia
$\left(\mathrm{N}_{2}+3 \mathrm{H}_{2} \rightleftharpoons 2 \mathrm{NH}_{3}\right)$
Contact process $\Rightarrow$ manufacture of $\mathrm{H}_{2} \mathrm{SO}_{4}$
Deacon's process $\Rightarrow$ Formation of $\mathrm{Cl}_{2}$ gas $\left(\mathrm{HCl}+\mathrm{O}_{2(\mathrm{Atmosphere})} \stackrel{\mathrm{cucl_2}}{\longrightarrow} \mathrm{H}_{2} \mathrm{O}+\mathrm{Cl}_{2}\right)$
$(a)$ લુઈસ એસિડિટી ક્રમ : $SiF_4 < SiC_{4} < SiBr_4 < Sil_4$
$(b)$ ગાલન બિંદુ : $NH_3 > SbH_3 > AsH_3 > PH_3$
$(c)$ ઉત્કલન બિંદુ: $NH_3 > SbH_3 > AsH_3 > PH_3$
$(d)$ ડાઈપોલ નો ક્રમ r : $NH_3 > SbH_3 > AsH_3 > PH_3$
સ્તંભ $A$ | સ્તંભ $B$ |
$(i) \;\mathrm{Na}_{2} \mathrm{O}$ | $(a)$ તટસ્થ |
$(ii) \;\mathrm{Al}_{2} \mathrm{O}_{3}$ | $(b)$ બેઝિક |
$(iii)\;\mathrm{N}_{2} \mathrm{O}$ | $(c)$ એસિડિક |
$(iv)\;\mathrm{Cl}_{2} \mathrm{O}_{7}$ | $(d)$ ઉભયગુણી |