Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
નીચે આપેલ પરિપથ $8\; \mathrm{V}\;dc$ રેગ્યુલેટેડ વૉલ્ટેજ ઉદગમ તરીકે વર્તે છે. જ્યારે $12 \;\mathrm{V}$ ઈનપુટ આપવામાં આવે ત્યારે દરેક ડાયોડમાથી વ્યય થતો પાવર ($\mathrm{mW}$ માં) કેટલો હશે? (બંને ઝેનર ડાયોડ એક સરખા છે)
અર્ધવાહક $(semiconductor)$ માં ઇલેક્ટ્રોન્સ ની મોબીલિટીને ડ્રીફ્ટ વેગ અને આપવવામાં આવેલ વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર દ્વારા વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો $n-$ટાઇપ અર્ધવાહક માટે ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $10^{19}\, m^{-3}$ અને તેની મોબીલિટી $1.6\, m^2/(V.s)$ હોય તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા ..................... $\Omega m$ ની નજીક હશે.
($n-$ટાઇપ અર્ધવાહક હોવાથી હોલ્સનું પ્રદાન અવગણવામાં આવે છે.)
ધારોકે શુદ્ધ $Si$ સ્ફટીકમાં $5 \times {10^{28}}$ પરમાણુ /${m^3}$ છે. તેને $1$$ \,ppm$ ઘનતા (સાંદ્રતા) સાથે $As$ વડે ડોપ કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રૉન અને હોલની સંખ્યા ગણો. $n_i =1.5\times10^{16}\,m^{-3}$ આપેલ છે.