વિધાન $-1$ : ડેવીસન-ગર્મરના પ્રયોગે ઇલેક્ટ્રોનની તરંગ પ્રકૃતિ શોધી કાઢી.
વિધાન $-2$ : જો ઇલેક્ટ્રોન તરંગ પ્રકૃતિ ધરાવે તો તેમનું વ્યતિકરણ અને વિવર્તન થઈ શકે.
વિધાન $- 2$ : ધાતુની સપાટી પરથી ઉત્સર્જીત થતાં ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઉર્જા તેના પર આપાત થતાં પ્રકાશની આવૃતિના સમપ્રમાણમાં હોય. ફોટોપ્રવાહ માત્ર આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખે.
વિધાન $1$ : ધાતુની સપાટી એ સમધર્મીં પ્રકાશ વડે પ્રકાશીત કરતાં કે જેની આવૃત્તિ $v > v_0$ (થ્રસોલ્ડ આવૃત્તિ) મહત્તમ ગતિઊર્જા અને સ્ટોપીંગ પોટેન્શીયલ $K_{max}$ અને $v_0$ છે. જો આપાત આવૃત્તિ બમણી થાય તો $K_{max}$ અને $V_0$ પણ બમણા થાય છે.
વિધાન $2$ : સપાટી પરથી ઉત્સર્જીત ફોટોઇલેકટ્રોન્સને સ્ટોપીંગ પોટેન્શીયલ અને મહત્તમ ગતિઊર્જા એ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિના સમપ્રમાણમાં હોય છે.
વિદ્યુતસ્થિતિમાન $V$ વડે પ્રવેગિત થતા ઈલેક્ટ્રોન ક્રિસ્ટલ પરથી વિવર્તિત થાય છે. $d =1\; \mathring A, i =30^{\circ}$ હોય, તો $V$ ($V$ માં) કેટલો હોવો જોઈએ?
$\left( h =6.6 \times 10^{-34}\; J-s , m =9.1\times 10^{-31}\; kg , e =1.610^{-19} \;C \right)$