$5\times 10^{-9}\,C$ ના બિંદુવત વીજભારને લીધે $P$ બિંદુએ વિદ્યુત સ્થિતિમાન $50\,V$ છે. બિંદુવત વીજભારથી $P$ નું અંતર ........$cm$ છે. $\left[\frac{1}{4 \pi \varepsilon_0}=9 \times 10^{+9}\,Nm ^2\, C ^{-2}\right.$ ધારો $]$
A$3$
B$9$
C$90$
D$0.9$
JEE MAIN 2023, Easy
Download our app for free and get started
c \(V _{ P }=\frac{K Q}{ r }\)
\(50=\frac{9 \times 10^9 \times 5 \times 10^{-9}}{ r }\)
\(r =\frac{45}{50}=\frac{9}{10}=0.9\,m =90\,cm\)
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
એક સમાંતર પ્લેટોવાળા કેપેસીટરને વિદ્યુતભાર કરેલ નથી અને તેની પ્લેટો વચ્ચે $K$ જેટલો અચળાંક ધરાવતી ડાઈ ઈલેક્ટ્રીક રાખેલ છે, તેને તેવા જ એક કેપેસીટર કે જેની પ્લેટો વચ્ચે માત્ર હવા જ છે તેની સાથે $V$ જેટલા સ્થિતિમાનના તફાવતે જોડેલ છે.જો બંને કેપેસીટરો સમાન વિદ્યુતભાર વહેંચતા હોય અને સમાન સ્થિતિમાનના તફાવતે જોડેલ છે. જો બંને કેપેસીટરો સમાન વિદ્યુતભાર વહેંચતા હોય અને સમાન સ્થિતિમાન $V$ હોય, તો ડાઈઈલેક્ટ્રીક અચળાક $K$ નું મુલ્ય કેટલું થશે ?
બે ધાતુના ટુકડાઓના સ્થિતિમાનનો તફાવત $800\,V$ છે અને તે $0.02\, m$ સમક્ષિતિજ અંતરે આવેલ છે. $1.96 \times 10^{-15}\, kg$ દળનો એક કણને પ્લેટો વચ્ચેના સંતુલનમાં મુક્ત કરવામાં આવે છે. જો $e$ એ મૂળભૂત વિદ્યુતભાર હોય તો કણ પરનો વિદ્યુતભાર ....... છે.
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં અનુક્રમે $K_1$ અને $ K_2$ ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંક સાથે $t_1$ અને $t_2$ જાડાના સ્તરો મૂકવામાં આવે છે તો આ સંગ્રાહકની કેપેસિટી કેટલી ?
બે એક સરખા કેપેસીટર સમાન કેપેસીટન્સ (સંધારકતા) ધરાવે છે. તેમાનાં એકને $V$ સ્થિતિમાન વડે અને બીજાને $2 V$ સ્થિતિમાન વડે વીજભારિત કરવામાં આવે છે. બંનેના ઋણ છેડાને જોડેલા છે જયારે તેમના ધન છેડાઓને પણ જોડવામાં આવે ત્યારે સંયુક્ત તંત્રની ઊર્જામાં થતો ઘટાડો______છે.
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના $A$ પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પ્લેટ એકબીજાથી $d$ જેટલા અંતરથી અલગ કરેલ છે. $\frac A2$ક્ષેત્રફળ અને $\frac d2$ જાડાઈ ધરાવતા બે ${K}_{1}$ અને ${K}_{2}$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા સ્લેબને પ્લેટો વચ્ચે જગ્યામાં દાખલ કરવામાં આવે છે. તો આ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ કેટલું થશે?
બે પ્લેટો વડે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર રચેલ છે. દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $100\ cm^2, \,1\ mm$ અંતરે અલગ કરેલી છે. એક $5.0$ ડાઈ ઈલેકટ્રીક અચળાંંક ધરાવતા ડાઈ ઈલેકટ્રીક અને ડાઈ ઈલેકટ્રીક સ્ટ્રેન્થ $1.9 \times 10^7\ V/m$ પ્લેટોની વચ્ચે ભરવામાં આવે છે. ડાઈ ઈલેકટ્રીક બ્રેક ડાઉન કર્યા સિવાય કેપેસિટર પર સંગ્રહ કરી શકાતો મહત્તમ વિદ્યુતભાર શોધો.