આકૃતિમાં દર્શાવેલ પરિપથ માટે $V_{AB} =$ .......$V$
  • A$10 $
  • B$20 $
  • C$30$
  • D$5$
Medium
Download our app for free and get startedPlay store
a
પરિપથમાં દર્શાવેલ ડાયોડ આદર્શ હોવાથી તેનો ફારવર્ડ બાયસ અવરોધ શૂન્ય લેતા નીચે મુજબ પરિપથ દોરી શકાય :

\(\therefore \,\,\,{V_{AB}} = \,\,\,V'\,\,.\,\frac{{R'}}{{{R_1} + R'}}\,\, = \,\,30\,\, \times \,\,\frac{5}{{10 + 5}}\,;\,\,\,\,\,\therefore \,\,\,{V_{AB}} = \,\,10\,\,V\)

art

Download our app
and get started for free

Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*

Similar Questions

  • 1
    આપેલ પરિપથ માટે $V_ {AB} = ......V$
    View Solution
  • 2
    નીચેનામાંનો ક્યો પરિપથ રીવર્સ બાયસ થયેલ છે ?
    View Solution
  • 3
    $p-n$ જંકશનને સમાંતર. $0.4 \,V$ સ્થિતિમાન વિભવ મળે છે. $n$- બાજુથી એક ઈલેકટ્રોન જંકશનમાં $6.0 \times 10^{5} \,ms ^{-1}$ ની ઝડપથી દાખલ થાય છ. $p$ બાજુમાં દાખલ થતા ઈલેકટ્રોનની ઝડપ $\frac{x}{3} \times 10^{5} ms ^{-1}$ છે; તો $x$ =.............. ( ઈલેકટ્રોનનું દળ = $9 \times 10^{-31} \,kg$ ઇલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર $=1.6 \times 10^{-19} \,C$ આપેલ છે.)
    View Solution
  • 4
    $PN$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ કરીને અર્ધ તરંગ રેક્ટિફાયરમાં ઓમ્પિપ્યુડ $25 $ અને આવૃત્તિ $50Hz$ છે. કોઈ ફિલ્ટરનો ઉપયોગ કરવામાં નથી આવ્યો અને ભાર વિદ્યુતપ્રવાહ $1000$  $\Omega$ છે. લાક્ષણિક ડાયોડનો ફોરવર્ડ વિદ્યુતપ્રવાહ $10$ $\Omega$ છે. તો રેક્ટિફાયરની કાર્ય ક્ષમતા ...... $\%$ છે.
    View Solution
  • 5
    એક પૂર્ણતરંગ રેક્ટિફાયર પરિપથ બે $p-n$ જંકશન ડાયોડ, સેન્ટર ટેપ ટ્રાન્સફોર્મર, સંધારક અને લોડ અવરોધ ધરાવે છે. આમાંથી ક્યો ઘટક રેક્ટિફાઈડ આઉટપુટમાંથી $ac$ રીપલ દૂર કરે છે?
    View Solution
  • 6
    નીચે આપેલ પરિપથ $8\; \mathrm{V}\;dc$ રેગ્યુલેટેડ વૉલ્ટેજ ઉદગમ તરીકે વર્તે છે. જ્યારે $12 \;\mathrm{V}$ ઈનપુટ આપવામાં આવે ત્યારે દરેક ડાયોડમાથી વ્યય થતો પાવર ($\mathrm{mW}$ માં) કેટલો હશે? (બંને ઝેનર ડાયોડ એક સરખા છે)
    View Solution
  • 7
    નીચા તાપમાને શેમાં વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડકટન્સ બેન્ડ ઓવરલેપ હોય છે?
    View Solution
  • 8
    શુદ્ધ $Si $ માં $300 K $ તાપમાને એકસમાન ઈલેક્ટ્રોન($n_e$) અને હોલ ($n_h$) ની સાંદ્રતા $1.5×10^{16} m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધીને $3×10^{22}$ થાય, તો $n_e$ ની $Si $ માં સંખ્યા ગણો.
    View Solution
  • 9
    કલેક્ટર પ્રવાહ $120\,mA$ અને બેઝ પ્રવાહ $2\,mA$ અને અવરોધ ગેઈન $3$ હોય તો પાવર ગેઈન
    View Solution
  • 10
    નીચે દર્શાવેલ પરિપથમાં જોડેલ આદર્શ $P - N$ જંકશન ડાયોડમાં વહેતો પ્રવાહ .......$mA$ છે.
    View Solution