આપેલા ડીજીટલ પરિપથની તાર્કિક પ્રક્રિયા આધારીત સમતૂલ્ય $........$ છે.
JEE MAIN 2023, Medium
Download our app for free and get started
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
અર્ધવાહક $(semiconductor)$ માં ઇલેક્ટ્રોન્સ ની મોબીલિટીને ડ્રીફ્ટ વેગ અને આપવવામાં આવેલ વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર દ્વારા વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો $n-$ટાઇપ અર્ધવાહક માટે ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $10^{19}\, m^{-3}$ અને તેની મોબીલિટી $1.6\, m^2/(V.s)$ હોય તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા ..................... $\Omega m$ ની નજીક હશે.
($n-$ટાઇપ અર્ધવાહક હોવાથી હોલ્સનું પ્રદાન અવગણવામાં આવે છે.)
આપેલ ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે, $CE$ સંરચનામાં ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે ટ્રાન્સફર લાક્ષણિકતા પરથી આ સંરચના માટે પાવર અવધિનું મૂલ્ય $10^x$ મળે છે. અત્રે $R _{ B }=10\,k\,\Omega$, અને $R _{ C }=1\,k\,\Omega$ છે. $x$ નું મૂલ્ય .......... થશે.
શુદ્ધ સિલિકોનના સેમ્પલમાં $10^{13} atom/cm^3 $ જેટલામાં ફોસ્ફરસ મિશ્ર કરવામાં આવે છે. જો બધા ડોનર અણુઓ સક્રિય હોય અને ઈલેક્ટ્રોનની મોબિલીટી $1200 cm^2/ volt$ $sec$ હોય તો $20° C $ એ અવરોધકતા કેટલા ......$\Omega$ $cm$ હશે?