ગોળા પર પથરાયેલ વિજભાર માટે વિજભાર ઘનતા $\rho \left( r \right)$ છે. $r_0, r_1, r_2,......r_N$ ત્રિજ્યા ધરાવતી $N$ સમસ્થિતિમાન સપાટી પર વિદ્યુતસ્થિતિમાન ${V_0},{V_0} + \Delta V,{V_0} + 2\Delta V,$$.....{V_0} + N\Delta V\left( {\Delta V > 0} \right)$ છે. જો $V_0$ અને $\Delta V$ ના બધા મૂલ્ય માટે ગોળાની ત્રિજ્યામાં તફાવત અચળ હોય તો …
A$\rho \left( r \right) = $ અચળ
B$\rho \left( r \right) \propto \frac{1}{{{r^2}}}$
C$\rho \left( r \right) \propto \frac{1}{r}$
D$\rho \left( r \right) \propto r$
JEE MAIN 2016, Diffcult
Download our app for free and get started
c As we know electric field, \(E = \frac{{ - dv}}{{dr}}\)
\(E=\) constant \(\therefore \) \(dv\) and \(dr\) same
\( \Rightarrow \,\rho \propto \frac{1}{r}\)
Download our app
and get started for free
Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
બે બિંદુઓ $P$ અને $Q$ આગળ વિદ્યુતસ્થિતિમાનમાં મૂલ્યો અનુક્રમે $10\; V$ અને $-4 \;V$ છે. તો $100$ ઈલેક્ટ્રોનને બિંદુ $P$ થી $Q$ પર લાવવા માટે કેટલું કાર્ય કરવું પડે?
એક વિદ્યુત્ત દ્વિધ્રુવીને $1000 \,V/m$ વિદ્યુત્તક્ષેત્ર $45^o$ ના ખુણે આપવામાં આવે છે. વિદ્યુત દ્વિધ્રુવી ચાકમાત્રા $10^{-29}\,C.m$ છે. આપવામાં આવેલ વિદ્યુતક્ષેત્રની અસર હેઠળ વિદ્યુત દ્વિધ્રુવી ની સ્થિતિઉર્જા કેટલી હશે?
$25 \mu \mathrm{F}, 30 \mu \mathrm{F}$ અને $45 \mu \mathrm{F}$ સંધારકતા ધરાવતા ત્રણ સંધારકો ને $100 \mathrm{~V}$ ના ઉદગમ સાથે સમાંતરમાં જોડવામાં આવ્યા છે. આ સંયોજનમાં સંગ્રહ પામતી ઊર્જા $\mathrm{E}$ છે. જ્યારે સંધારકોને આ જ ઉદગમ સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે ત્યારે સંગ્રહ પામતી ઉર્જા $\frac{9}{x} \mathrm{E}$છે. $x$ નું મૂલ્ય. . . . . . . . થશે.
આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $2L$ લંબાઇના ચોરસનાં શિરોબિંદુઓ પર $ +q,+q,-q $ અને $-q$ વિદ્યુતભારો મૂકેલા છે, $+q $ અને $-q$ વિદ્યુતભારોના મઘ્યબિંદુ $ A$ આગળ વિદ્યુતસ્થિતિમાન કેટલું મળે?
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$ અને પહોળાઈ $w$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડેલ છે. $d$ જાડાઈ અને $k =4$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો એક સ્લેબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે સ્લેબને પ્લેટની અંદર કેટલી લંબાઈ સુધી દાખલ કરવો જોઈએ કે જેથી કેપેસીટરમાં સંગ્રહ પામતી ઉર્જા શરૂઆતની સંગ્રહિત ઉર્જા કરતાં બમણી થાય?
$9 n F$ કેપેસિટરનો ડાઈઇલેક્ટ્રીક અચળાંક $\varepsilon_{ r }=2.4,$ ડાઈઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ $20\, MV / m$ અને વિદ્યુતસ્થિતિમાન $=20 \,V$ છે તો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ........... $\times 10^{-4}\, m ^{2}$ હશે?
$4\ \mu F$ ના કેપેસીટરને $80\ V$ સુધી વિદ્યુતભારીત કરેલ છે જ્યારે $6\ \mu F$ કેપેસીટરને $30\ V$ સુધી વિદ્યુતભારીત કરેલ છે જ્યારે તેમને જોડવામાં આવે તો $4\ \mu F$ કેપેસીટર દ્વારા ગુમાવાતી ઉર્જા .....$mJ$