Experience the future of education. Simply download our apps or reach out to us for more information. Let's shape the future of learning together!No signup needed.*
અર્ધવાહક $(semiconductor)$ માં ઇલેક્ટ્રોન્સ ની મોબીલિટીને ડ્રીફ્ટ વેગ અને આપવવામાં આવેલ વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર દ્વારા વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો $n-$ટાઇપ અર્ધવાહક માટે ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $10^{19}\, m^{-3}$ અને તેની મોબીલિટી $1.6\, m^2/(V.s)$ હોય તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા ..................... $\Omega m$ ની નજીક હશે.
($n-$ટાઇપ અર્ધવાહક હોવાથી હોલ્સનું પ્રદાન અવગણવામાં આવે છે.)
$X$ અને $Y$ ને સમાંતર એક $5\, V$ ની બેટરી જોડવામાં આવેલ છે. $D_1$ અને $D_2$ એક સામાન્ય સિલિકોન ડાયોડ છે તેમ ધારો. જે બેટરીનો ધન છેડો બિંદૂ $X$ સાથે જોડેલો હોય તો બેટરી દ્વારા પૂરો પડાતો વિધુતપ્રવાહ ..........$A$