मान लीजिए किसी शुद्ध $ \mathrm{Si}$ क्रिस्टल में $5 \times 10^{28}$ परमाणु $ \mathrm{m}^{-3}$ है। इसे पंचसंयोजी As से 1 ppm सांद्रता पर अपमिश्रित किया जाता है। इलेक्ट्रॉनों तथा होलों की संख्या परिकलित कीजिए, दिया है कि$ n_{1}=1.5 \times 10^{16} \mathrm{~m}^{-3}$।
उदाहरण - 14.2
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किसी नैज अर्धचालक में ऊर्जा अंतराल $E_g$ का मान $1.2\ eV$ है। इसकी होल गतिशीलता इलेक्ट्रॉन गतिशीलता की तुलना में काफी कम है तथा ताप पर निर्भर नहीं है। इसकी $600\ K$ तथा $300\ K$ पर चालकताओं का क्या अनुपात है$?$ यह मानिए कि नैज वाहक सांद्रता $n_t$ की ताप निर्भरता इस प्रकार व्यक्त होती है$-$
$n_{t }= n_0 \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$
जहाँ $n_0$ एक रिथरांक है।
यह ज्ञात है कि पश्चदिशिक बायस की धारा (माइक्रो ऐम्पियर) की तुलना में अग्रदिशिक बायस की धारा (~ मिली ऐम्पियर) अधिक होती है तो फिर फोटोडायोड को पश्चदिशिक बायस में प्रचालित करने का क्या कारण है?
सिलिकॉन परमाणुओं की संख्या $5 \times 10^{28}$ प्रति मी$^{3}$ है। यह साथ ही साथ आर्सेनिक के $5 \times 10^{22}$ परमाणु प्रति मी$.^3$ और इडियम के $5 \times 10^{20}$ परमाणु प्रति मी$^{3}$ में अपमिश्रित किया गया है। इलेक्ट्रॉन और होल की संख्या का परिकलन कीजिए। दिया है कि $n_{1 }= 1.5 \times 10^{16}m^{-3} $। दिया गया पदार्थ $n$ प्रकार का है या $p-$प्रकार का$?$