\(v =2 v _{\text {th }}\)
\(2 hv _{\text {th }}=h v _{\text {th }}+\frac{1}{2} mv _{1}^{2} \ldots \ldots(1)\)
\(v =5 v _{\text {th }}\)
\(5 hv _{\text {th }}=h v _{\text {th }}+\frac{1}{2} mv _{2}^{2} \ldots(2)\)
\(\frac{\frac{1}{2} m v_{1}^{2}}{\frac{1}{2} m v_{2}^{2}}=\frac{h v_{t h}}{4 h v_{\text {th }}}\)
\(\left(\frac{ v _{1}}{ v _{2}}\right)^{2}=\frac{1}{4} \Rightarrow v _{2}=2 v _{1}\)
(ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $=9.1 \times 10^{-31} \,{kg}$ )
વિધાન $I:$ સુક્ષ્મ તરંગ, પારરકત તરંગ અને પારજાંબલી તરંગોમાંથી પારજાંબલી તરંગો ધાત્વીય સપાટી પરથી સૌથી વધુ અસરકારક રીતે ઈલેકટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે.
વિધાન $II:$ સીમા આવૃત્તિની ઉપર, પ્રકાશીય ઇલેકટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાએ આપાત થતા પ્રકાશની આવૃત્તિના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોની સત્યાર્થતાને આધારે, નીચેના યોગ્ય વિકલ્પોમાંથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.
વિધાન $I:$ સુક્ષ્મ તરંગ, પારરકત તરંગ અને પારજાંબલી તરંગોમાંથી પારજાંબલી તરંગો ધાત્વીય સપાટી પરથી સૌથી વધુ અસરકારક રીતે ઈલેકટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે.
વિધાન $II:$ સીમા આવૃત્તિની ઉપર, પ્રકાશીય ઇલેકટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાએ આપાત થતા પ્રકાશની આવૃત્તિના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોની સત્યાર્થતાને આધારે, નીચેના યોગ્ય વિકલ્પોમાંથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.
વિદ્યુતસ્થિતિમાન $V$ વડે પ્રવેગિત થતા ઈલેક્ટ્રોન ક્રિસ્ટલ પરથી વિવર્તિત થાય છે. $d =1\; \mathring A, i =30^{\circ}$ હોય, તો $V$ ($V$ માં) કેટલો હોવો જોઈએ?
$\left( h =6.6 \times 10^{-34}\; J-s , m =9.1\times 10^{-31}\; kg , e =1.610^{-19} \;C \right)$