\(2.1\times10^3\)
\(1.2 \times 10\)
\(3.91\) conductors at \(298.15 \mathrm{~K}\)
\(1 \times 10^3\)
\(1 \times 10^{-16}\) Insulator at \(298.15 {~K}\)
\(l1.5 \times 10^{-2}\)
\(110^{-7}\) Semiconductor at \(298.15 \mathrm{~K}\)
Therefore number of conductors is \(4\).
$ = 1.33\,V$ ; $E_{Cl/C{l^ - }}^ o = 1.36\,V$
ઉપરની માહિતીના આધારે પ્રબળ ઓક્સિડેશન કર્તા કયો છે?
$Pt ( s )\left| H _{2}( g , 1 bar )\right| HCl ( aq \cdot, pH =1)| AgCl ( s )| Ag ( s )$
જલીય $HCL $ માટે $K \left( w _{0}=2.25 eV \right),$ ફોટોઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહને રોકવા માટે જરૂરી $pH$ ................$\times 10^{-2}$ છે, બાકીની બધી અન્ય શરતો તે જ રહે છે
અહી આપેલ $2.303 \frac{ RT }{ F }=0.06 V ; E _{ AgC1|Ag|C ^{-}}^{0}=0.22\, V$
$A$. અવકાશયાન ઉપયોગ થાય છે.
$B$. વિધુત પ્રવાહ ઉત્પન્ન કરવા માટે $40 \%$ ક્ષમતા ધરાવે છે.
$C$. અલ્યુમિનીયમ નો ઉદ્દીપક તરીકે ઉપયોગ થાય છે .
$D$. પર્યાવરણીય- અનુકૂલ છે.
$E$. વાસ્તવમાં તે ફક્ત ગેલ્વેનીક કોષ નો જ એક પ્રકાર છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પો માંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો :
$\frac{2}{3}A{l_2}{O_3} \to \frac{4}{3}Al + {O_2},{\Delta _r}G = + 940\,kJ\,mo{l^{ - 1}}$
$Al_2O_3$ના વિધુત વિભાજનથી રિડકશન માટે જરૂરી વીજસ્થિતિમાનનો તફાવત ............... $\mathrm{V}$
$\frac{2}{3} Al_2 O_3 \rightarrow \frac{4}{3} Al + O_2$
$\Delta _rG = + 960\, kJ\, mol^{-1}$
$500^oC$ તાપમાને એલ્યુમિનિયમ ઓકસાઈડ $(Al_2O_3)$ ના વિદ્યુતવિભાજય રીડકશન માટે પોટેન્શિયલમાં જરૂરી ઓછામાં ઓછો તફાવત........ $V$ છે.