\(\frac{{{\text{dn}}}}{{{\text{dt}}}} = \frac{{IA}}{E} = \) મેળવતી ઉર્જા/ઈલેક્ટ્રોનની ઉર્જા
અહીં મેળવાતી ઊર્જા = \(I_A = nhv\ (n =\) ઉત્સર્જાતા ફોટોનની સંખ્યા), ઈલેકટ્રોનની ઊર્જા \(= hv\) (ફોટોનની ઊર્જાને સમાન આપેલ છે.)
તેથી,\( {\left( {\frac{{{\text{dn}}}}{{{\text{dt}}}}} \right)_{electron}} = \,\,\frac{{nhv}}{{hv}} = n\,\,\) જ્યાં \({\text{n }} \propto {\text{ I }} \Rightarrow {\text{ }}\left( {\frac{{{\text{dn}}}}{{{\text{dt}}}}} \right)\, \propto \,\,I\)
કથન $I$ : ફોટોઈલેકટ્રીક અસરમાં સ્ટોપિગ પોટેન્શિયલ પ્રકાશ ઉદગમના પાવર પર આધાર રાખતો નથી.
કથન $II$ : આપેલ ધાતુ માટે ફોટો ઇલેકટ્રોનની ગતિઉર્જા આપાત પ્રકાશની તરંગ લંબાઈ પર આધાર રાખે છે.
ઉપર્યુક્ત બંને કથનના સંદર્ભમાં, નીયે આપેલ વિકલ્પોમાંથી સાયો ઉત્તર પસંદ કરો.
અત્રે
$m$ = ઇલેક્ટ્રોનનું દળ
$P$ = ઇલેક્ટ્રોનનું વેગમાન
$K$ = ઇલેક્ટ્રોનનીની ગતિઊર્જા
$V$ = ઇલેક્ટ્રોન માટે વોલ્ટમાં પ્રવેગક સ્થિતિમાન