$(A)$ ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઘટનામાં, ફોટોઈલેટ્રોન્સના મહત્તમ વેગનો વર્ગ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
$(B)$ પ્રકાશ ઉદગમને ધાતુ સપાટીથી દૂર ખસેડતા સંતૃપ્ત પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$(C)$ $LED$ (લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ) પ્રકાશ ઉદગમનો વિદ્યુતકીય પાવર ઘટાડતા ફોટો ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઉર્જા ઘટે છે.
$(D)$ ધાતુ સપાટીમાંથી ફોટોઈલેટ્રોન્સનું તત્ક્ષણીક (ત્વરીત) ઉત્સર્જન પ્રકાશના વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના કણ સ્વરૂપની મદદથી સમજાવી શકાય નહી.
$(E)$ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું અસ્તિત્વ (કારણ) પ્રકાશ/વિદ્યુત ચુંબકીય તરંગોના તરંગ સ્વરૂ૫ ની મદદથી સમજાવી શકાતું નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
Photoelectric effect can be explained by particle nature of light. Threshold \(\lambda\) is max wavelength at which emission takes place.
ક્થન $A$ : જો આપાત વિકિરણની ઊર્જા ફોટો-ધાતુનું વર્કફંક્શન (કાર્યવિધેય) કરતાં ઓછી હોય તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર મળશે નહી.
ક્થન $R$ : જો આપાત વિકિરણની ઊર્જા ધાતુના કાર્યવિધેય જેટલી હશે તો ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા શૂન્ય થશે.
ઉપરોક્ત વિધાનોનાં સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય ઉત્તર પસંદ કરો
વિધાન $I$ : આકૃતિ બે ફોટોસંવેદી દ્રવ્યો $\mathrm{M}_1$ અને $\mathrm{M}_2$ માટે સ્ટોપીંગ પોટેન્શીયલ (વિભવ) નો આવૃત્તિ ($v$) સાથેનો ફેરફાર દર્શાવે છે. ઢાળ $\frac{\mathrm{h}}{\mathrm{e}}$ નું મૂલ્ય આપે છે, જ્યાં $\mathrm{h}$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક, $e$ એ ઈલેક્ર્રોન પરનો વિદ્યુતભાર.
વિધાન $II$ : સમાન આવૃત્તિ ધરાવતા આપાત વિકિ૨ણ માટે $\mathrm{M}_2$ એ વધારે ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન્સ ઉત્પન કરશે. ઉપરોક્ત વિધાનોનાં સંદભમાં, નીચે આપેલા વિક્લ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય ઉત્તર પસંદ કરો.