${Cu}_{({s})}+2 {Ag}^{+}\left(1 \times 10^{-3} \,{M}\right) \rightarrow {Cu}^{2+}(0.250\, {M})+2 {Ag}_{({s})}$
${E}_{{Cell}}^{\ominus}=2.97\, {~V}$
ઉપરની પ્રક્રિયા માટે ${E}_{\text {cell }}$ $=....\,V.$ (નજીકના પૂર્ણાંકમાં)
[આપેલ છે: $\log 2.5=0.3979, T=298\, {~K}]$
$Sn ^{2+}+2 e ^{-} \rightarrow Sn$
$Sn ^{4+}+4 e ^{-} \rightarrow Sn$
ઈલેક્ટ્રોન (વિદ્યુતધ્રુવ) પોટેન્શિયલ ની $E _{ Sn ^{2+} / Sn }^{\circ}=-0.140 V$ અને $E _{ Sn ^{4+} / Sn }^{\circ}=0.010 V$ છે. $Sn ^{4+} / Sn ^{2+}$
$E^{o} _{ Sn ^{4+} / Sn ^{2+}}$માટે પ્રમાણિત ઈલેક્ટ્રોડ (વિદ્યુતધ્રુવ) પોંટેન્શિયલની માત્રા........ $\times 10^{-2} V$ છે. (નજીકનો પૂર્ણાક)